CF-HJ

氮化硅陶瓷基板具有高強度、高韌性、高熱導率（130W/（m?k））、熱膨脹系數與Si、SiC、GaN等半導體相匹配等優點，非常適用于高功率模塊的封裝，被認為是陶瓷基板的優秀選擇。

我公司采用高純硅粉直接氮化工藝，通過對所用硅料、氮化工藝和細化工藝的獨特專利技術控制，制備出高純度、高α相含量、粒度分布窄、燒結活性高的基板級氮化硅粉體。